반도체 20나노 경쟁 '후끈'…다음은 10나노?

[김도윤기자]반도체 미세 공정 경쟁이 또 다시 수면 위로 떠올랐다. 엘피다가 20나노 D램 개발을 발표하면서 재 점화되는 양상이다.

여기에 인텔이 3차원(3D) 방식 22나노 공정 트랜지스터를 개발을 발표하며 말 그대로 기름을 부은 형국이다. 20나노에 뒤이은 미세공정 경쟁도 관심사다.

9일 관련 업계에 따르면 연내 20나노 공정을 적용한 D램이 시장에 잇달아 나올 가능성은 높아졌다.

삼성전자는 올 하반기 목표로 20나노 D램 양산을 추진중이다. 이에 질세라 엘피다가 20나노 D램 개발을 완료, 7월 양산을 시작하겠다며 의지를 드러냈다.

반도체 업계에선 엘피다가 20나노 D램을 올해 7월에 양산할 수 있느냐를 두고 반신반의 하고 있으나 20나노 경쟁을 앞당길 가능성도 커지고 있다.

실제 삼성전자의 경우 엘피다가 20나노 D램 양산에 박차를 가하면서 이에 앞서 양산을 앞당길 가능성이 점쳐지고 있다. 하이닉스반도체 역시 연내 20나노 공정을 적용한 D램 개발 및 양산에 나설 계획이다.

◆20나노 '가시권' 다음은 10나노 경쟁?

20나노 경쟁이 서서히 달아오르면서 10나노 경쟁에 대한 관심도 높아지고 있다.

이미 20나노 공정을 적용해 생산하고 있는 낸드플래시에 이어 D램까지 연내 20나노 공정을 적용할 것으로 보이는 만큼 10나노급 이하 공정에도 업계의 관심이 쏠리고 있는 것.

반도체 업계에선 10나노급 D램 개발도 불가능하지 않다는 의견이 우세하다. 과거 100나노가 첫 등장했을 때도 "한계에 도달했다"는 이야기가 나왔듯 지금 상황도 마찬가지일 것이라는 예상이다.

이와 관련 삼성전자 이윤우 부회장은 "2012년에 10나노미터 반도체 기술이 등장할 것"이라고 예상하기도 했다.

하이닉스 박상욱 부사장 역시 "예전에는 30나노가 한계라고 말했는데 이미 20나노에 들어갔다"며 "10나노 이후는 좀더 많은 연구가 필요할 것"이라고 언급한 바 있다.

실제 삼성전자, 하이닉스 등 반도체 업체들은 보다 앞선 미세 공정 개발을 위해 극자외선(EUV) 노광장비 등 새로운 장비에 대한 테스트도 꾸준히 진행중이다.

업계 관계자는 "10나노대 관련해선 기술적으로 돌파구가 있어야 한다고 본다"며 "특히 지금의 장비로는 한계가 있기 때문에 새로운 미세 공정에 맞는 장비가 필요하고 투자 비용도 많이 들어갈 것"이라고 말했다.

이어 "하지만 미세공정 한계는 각종 회로를 구성하는 물질이나 공정 기술 개발로 계속 극복해왔다"며 "문제는 개발할 수 있느냐 여부가 아니라 시장에서 팔릴 만한 제품을 만들 수 있는 양산성을 갖추느냐 여부"라고 덧붙였다.

한편 비메모리 반도체 분야에선 인텔이 22나노 공정 개발을 완료하며 앞서나가고 있다. 인텔은 오는 2013년 14나노, 2015년 10나노 공정을 적용한 프로세서를 개발하겠다는 로드맵을 공개한 상태다.

삼성전자의 경우 20나노급 공정 비메모리 반도체와 관련해 개발을 진행하고 있는 중이다.