하이닉스, 올해 하반기 20나노급 D램 양산

하이닉스가 올 하반기 20나노급 D램과 20나노 전후의 낸드플래시 양산에 돌입한다.

하이닉스 권오철사장은 27일 실적설명회(IR)를 열고 올 하반기 20나노급 D램과 20나노 낸드플래시 양산을 시작할 계획이라고 밝혔다.

권오철 사장은 "30나노 D램은 지난해 4분기 개발을 마무리, 올 1분기 안에 양산을 시작할 것"이라며 "의미있는 성과는 2분기말부터 나올 것이고 30나노급 제품 비중을 연말까지 전체 생산의 40%대로 가져갈 것"이라고 말했다.

이어 "하반기엔 20나노 후반대 D램도 투입할 것"이라며 "20나노급 D램에선 선두 업체와 기술 격차를 축소할 것"이라고 덧붙였다.

권오철 사장은 "낸드플래시에선 20나노 중반급을 개발한 뒤 순조롭게 수율 향상 및 생산량을 높이고 있다"며 "연말에는 전체 물량의 70% 이상을 20나노급에서 생산할 계획"이라고 말했다.

이어 "올해 하반기에는 20나노 전후 제품, 20나노 혹은 10나노대 후반 제품일 수도 있는 제품을 양산할 계획"이라며 "비중은 크지 않을 것"이라고 덧붙였다.

권오철 사장은 "하이닉스의 D램 및 낸드플래시 공정 기술은 업계 최고 수준으로 도약할 것이라 생각한다"고 말했다.

권오철 사장은 올해 설비투자 비용 3조4천억원의 용도에 대해선 "시황과 사업 성과에 따라 탄력적으로 조정할 것"이라며 "이 업계는 연간 고정 계획이 큰 의미가 없고 매달 실행 계획을 수정하면서 일한다"고 말했다.