하이닉스, 세계 최대 용량 D램 개발

[김도윤기자] 하이닉스가 세계 최대 용량 D램 개발에 성공했다.

하이닉스반도체(대표 권오철)는 TSV(Through Silicon Via, 관통 전극) 기술을 활용해 40나노급 2기가비트(Gb) DDR3 D램을 8단으로 적층하는 데 성공했다고 9일 발표했다.

하이닉스에 따르면 단일 제품에서 16Gb를 구현한 경우는 이번이 처음이다.

TSV 기술은 패키지 크기 증기와 전기적 특성 저하 등 한계를 극복하고 2Gb D램을 8단으로 쌓을 수 있게 함으로써 한 제품에서 16Gb 성능을 낼 수 있도록 했다.

하이닉스 관계자는 "기존 와이어 본딩 방식에 비해 2배 이상 적층이 가능하고 동작 속도는 50%가량 높다"며 "또 소비전력도 40% 줄어드는 특징이 있다"고 말했다.

하이닉스는 앞으로 64Gb 모듈 양산을 준비할 계획이다. 또 일반적인 모바일 D램에 비해 약 8배 빠른 속도를 내는 와이드 I/O TSV 개발을 추진할 방침이다.

하이닉스 연구소장 홍성주 전무는 "TSV 기술을 이용한 고용량 메모리 제조 기술은 앞으로 2~3년 안에 메모리 산업의 핵심 기술이 될 것"이라며 "이 제품 개발은 고용량과 융복합화로 변하는 메모리 솔루션의 기반을 구축했다는 데 의미가 있다"고 말했다.