하이닉스, 48나노 낸드양산 2분기로 늦춰

메모리반도체 분야에서 초미세공정 기술인 40나노미터급 제품 생산을 놓고 한국의 하이닉스반도체와 일본 도시바가 '세계 최초' 경쟁을 벌이고 있다.

당초 2008년 1월 중 경기도 이천의 M10 공장에서 48나노 공정기술을 적용해 낸드플래시메모리를 양산코자 했던 하이닉스의 일정은 2분기 중으로 다소 늦춰진 것으로 나타났다. 하이닉스 관계자는 "아직 48나노 공정의 양산을 시작하지 못했다"며 "2분기 중 이천의 M10과 청주의 신설 M11에서 각각 48나노 공정으로 16기가비트(Gb) 낸드플래시 양산을 시작할 예정"이라고 22일 밝혔다.

메모리반도체 분야에서 40나노급 공정이 적용되는 것은 2008년이 처음이다. 현재 삼성전자가 51나노 공정으로 16Gb 제품을, 도시바가 56나노 공정으로 마찬가지 16Gb 낸드플래시를, 하이닉스는 57나노 공정으로 8Gb 제품을 각각 생산하고 있다. 이런 가운데 도시바가 빠르면 3월 중 43나노 공정으로 전환을 시도하고 있어, 40나노급 공정의 '세계 최초' 경쟁이 진행되고 있는 것.

메모리반도체 분야에서 50나노 이하 초미세 공정기술을 도입하기 위해선 기존 알루미늄 공정보다 전도성이 높은 구리공정으로 전환할 필요가 있다. 이천공장의 환경오염 문제로 '몸살'을 앓았던 하이닉스는 48나노 공정이 40나노급 공정 후반 기술이란 점에서 알루미늄 공정을 그대로 활용해 M10 공장에서 제품을 양산할 계획이다.

하이닉스는 일정이 다소 지체되면서 2분기 중 48나노 공정을 M10에 적용하고, 오는 2월 말 완공되는 M11에도 순차적으로 같은 공정을 도입할 예정이다. 낸드플래시 전용팹인 M11은 3월 초 가동과 함께 우선 중간단계의 낸드플래시 양산용 웨이퍼를 공급받아 완제품을 만드는 식으로 가동된다. 이후 초기 웨이퍼 단계부터 양산을 진행하는 식으로 생산라인이 완성되면서, 역시 2분기 중 48나노 낸드플래시 양산 체제를 갖추게 된다.

하이닉스는 환경부가 이천공장에 대해 구리공정 전환을 허용키로 하면서 향후 낸드플래시 생산라인에 41나노 공정까지 도입할 계획이다.

세계 낸드플래시 부문 2위 기업인 도시바는 최근 '삼성전자 타도'를 외치며 공격적인 투자에 나서고 있다. 미국 샌디스크와 함께 11조6천억원에 달하는 투자로 오는 2009년까지 낸드플래시 공장 2개를 신설할 계획이다. 도시바는 43나노 공정 도입은 물론, 오는 2009년 30나노급 공정으로 전환도 준비하고 있다고 밝힌 상태.

낸드플래시 부문 세계 1위 기업인 삼성전자는 2008년 하반기 42나노 공정을 적용해 32Gb 낸드플래시를 양산할 계획이다. 올해 낸드플래시 부문에서 40% 이상 점유율을 유지하며 1위 자리를 지킨다는 방침이다. 황창규 반도체총괄 사장이 8년째 '황의 법칙'을 증명한 가운데 30나노급 64Gb 낸드플래시는 오는 2009년 이후 양산키로 한 상태.

낸드플래시 부문 세계 1~3위 기업인 삼성전자, 도시바, 하이닉스의 '3강 체제'가 공고해지고 있는 가운데, 40나노급 이하 공정에서 기술 및 마케팅 경쟁이 한층 가열될 전망이다.