하이닉스, 2008년초 40나노급 낸드 세계 첫 양산

하이닉스반도체가 세계에서 처음으로 40나노미터급 낸드플래시메모리 양산에 들어간다.

하이닉스는 최근 48나노 공정을 적용해 16기가비트(Gb) 멀티 레벨 셀(MLC) 낸드플래시 개발에 성공, 2008년 1월부터 본격 양산을 시작한다고 5일 밝혔다.

하이닉스의 48나노 공정은 낸드플래시 1~2위 기업인 삼성전자와 일본 도시바의 현 생산공정인 51나노 및 56나노보다 한 세대 앞선 공정이다. 삼성전자와 도시바는 2008년 하반기 40나노급 공정으로 낸드플래시를 생산할 계획이다. 이번 하이닉스의 40나노급 낸드플래시 생산계획은 후발주자인 하이닉스가 낸드플래시 기술 부문에서 앞서나가는 계기가 될 전망이다.

메모리반도체 분야에서 미세공정 기술은 생산성을 높이고 가격 경쟁력을 확보하게 해주는 주요 수단이란 점에서 업계의 기술경쟁이 한창이다. 48나노 공정은 하이닉스의 현 60나노급 공정에 비해 생산량을 90%나 끌어올릴 수 있다는 설명이다. 또 50나노급 공정에 비해선 10~20% 정도 생산성을 높일 수 있는 것으로 파악된다.

낸드플래시는 휴대폰 등 모바일기기와 대용량 저장장치 솔리드 스테이트 드라이브(SSD)까지 D램보다 수요처가 더욱 확대되는 모습을 보이고 있다.

하이닉스는 우선 이천공장의 M10라인에서 48나노 공정으로 낸드플래시를 생산하고, 오는 2008년 3월 말 완공되는 청주 M11라인에서도 같은 공정으로 제품을 대량 양산한다는 방침이다. 16Gb MLC 낸드플래시에 이어 고성능 8Gb 싱글 레벨 셀(SLC) 제품도 48나노 공정으로 생산할 계획.

이어 2008년 말엔 41나노까지 미세공정 기술을 도입해 낸드플래시 시장을 주도한다는 전략이다.