日엘피다·샤프, 차세대 메모리 공동 개발

일본 엘피다 메모리와 샤프가 차세대 메모리를 공동 개발해 2013년에 상품화 하기로 했다고 니혼게이자이신문이 13일 보도했다.

두 회사가 개발하는 메모리는 저항변화형메모리(ReRAM)로, 모바일 기기에서 사용하고 있는 낸드형 플래시 메모리보다 전력 소모가 적고 데이터 입력이 1만배 빠른 것으로 알려져 있다.

니케이신문은 ReRAM 칩을 탑재한 기기가 고화질 영상을 수 초만에 다운로드할 수 있고, 대기시에도 소비전력을 거의 소모하지 않는다고 전했다.

엘피다와 샤프 외에 산업기술총합연구소, 도쿄대학, 반도체제조장치 제조사도 개발에 참가한다.

제품 양산은 빠르면 2013년부터 시작되며, 엘피다가 제조를 담당할 예정이다.