[아이뉴스24 권서아 기자] SK하이닉스가 이르면 이달에 차세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4E(7세대) 샘플 공급에 나설 것으로 전망되면서 삼성전자와의 메모리 경쟁이 치열해질 전망이다.
12일 업계에 따르면, SK하이닉스는 주요 고객사를 대상으로 HBM4E 샘플 공급을 준비 중인 것으로 알려졌다. 시장에서는 이르면 이달, 늦어도 다음 달 중 샘플 출하가 이뤄질 가능성에 무게를 두고 있다.
![SK하이닉스의 7세대 고대역폭메모리(HBM4E) 웨이퍼(반도체 원판) 사진. [사진=황세웅 기자]](https://image.inews24.com/v1/b16bd046a81375.jpg)
업계에서는 HBM4E가 내년 양산 예정인 만큼 올해 하반기 고객사 검증과 최적화 작업이 진행돼야 하는 점을 고려하면 샘플 공급 시점이 임박한 것으로 보고 있다.
HBM4E는 현재 양산이 진행 중인 HBM4(6세대)의 후속 제품이다. 엔비디아가 내년 선보일 차세대 인공지능(AI) 가속기 '루빈 울트라'에 탑재될 것으로 예상된다.
SK하이닉스는 지난해 공개한 로드맵에서 올해부터 HBM4 16단, HBM4E 8단·12단·16단 제품과 맞춤형(커스텀) HBM4E를 순차 출시하겠다고 밝힌 바 있다.
삼성전자는 이미 선공에 나섰다. 삼성전자는 지난달 29일 업계 최초로 HBM4E 12단 샘플을 엔비디아 등 글로벌 고객사에 공급했다.
![SK하이닉스의 7세대 고대역폭메모리(HBM4E) 웨이퍼(반도체 원판) 사진. [사진=황세웅 기자]](https://image.inews24.com/v1/c30b5ead3e1693.jpg)
올해 2월 HBM4를 세계 최초로 양산 출하한 데 이어 3개월 만에 차세대 제품 샘플까지 내놓으며 시장 선점에 나섰다.
삼성전자의 HBM4E는 1c(10나노급 6세대) D램과 자체 파운드리 4나노 공정 베이스(로직)다이를 적용한 제품이다.
핀당 속도는 최대 16Gbps(최대 4TB/s 대역폭)로 기존 HBM4 대비 20% 향상됐다. 용량은 48기가바이트(GB)로 30% 늘었다. 에너지 효율과 열 저항 특성도 각각 16%, 14% 개선됐다.
SK, HBM 점유율 58% 수성전…삼성 21% 추격
시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 올해 1분기 글로벌 HBM 시장 점유율은 SK하이닉스가 58%로 1위를 기록했다.
삼성전자와 마이크론은 각각 21%를 차지했다.
![SK하이닉스의 7세대 고대역폭메모리(HBM4E) 웨이퍼(반도체 원판) 사진. [사진=황세웅 기자]](https://image.inews24.com/v1/7a5d159827470a.jpg)
다만 SK하이닉스 점유율은 지난해 1분기 69%에서 58%로 하락했다. 반면 삼성전자는 13%에서 21%로 상승하며 격차를 좁혔다.
업계에서는 HBM4E와 HBM5(8세대)에서 고객사 인증과 양산 시점이 향후 시장 판도를 좌우할 것으로 보고 있다.
엔비디아의 수요도 변수다. 젠슨 황 CEO는 지난 2일 대만 컴퓨텍스 2026에서 SK하이닉스 부스를 찾아 HBM4E 웨이퍼(반도에 원판)에 '더 많이 만들어 달라(Please make more)'라는 문구를 남겼다.
![SK하이닉스의 7세대 고대역폭메모리(HBM4E) 웨이퍼(반도체 원판) 사진. [사진=황세웅 기자]](https://image.inews24.com/v1/68bbf46fe631b6.jpg)
이후 최태원 SK그룹 회장과의 서울 회동에서도 "More HBM! More HBM! (HBM 더 많이 만들어 달라)"고 언급하며 메모리 확대 필요성을 강조했다.
/권서아 기자([email protected])
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